华朔品牌MOS管选型推荐
发布时间：2020.08.07
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什么是MOS管
MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，MOS 管有时被称为绝缘栅场效应管，简称场效应管。
依用途主要可以归纳为：
Ø 功率转换应用（Power Conversion）
Ø 开关切换（Switch）
Ø 整流（Rectify）
Power MOSFET应用领域非常广泛，因为组件特性的关系，它可以承受低压到高电压（12V-800V以上），小到大的电流（1A~200A..）等应用. MOS管有区分增强型与空乏型.
华朔半导体产品是以增强型MOS管为主.在市场客户端也是以增强型MOS管为多且应用广泛.
MOSFET 产品封装外形和一般IC比较，MOSFET封装特色为低脚数，高散 热要求，种类依据客户设计要求而不同，常用封装外形如下：
MOSFET工作原理简介：
MOSFET简称MOS管，其主要功能之一，是做电流的开关.如同水管中控制水流大小的阀门.
在半导体中的电流可分为电子流或电洞流:
利用电子流工作：称为N型的场效电晶体
利用电洞流工作：称为P型的场效电晶体
华朔的MOS管均有N信道与P信道MOS 2种不同类型的产品.
MOS产品简易区分如下：
1、低压MOS管：20V~80V, 有N和P信道以及N+P信道产品. 另有区分有静电防护和无静电防护产品.
2、中压MOS管： 100V~200V,有N和P通道产品.
另有区分有静电防护和无静电防护产品.
3、高压MOS管：400V~800V, N通道产品. 以TO-200AB和TO-220F封装为主.
如何选择使用N信道或是P信道产品，是以客户端之应用设计为主.
MOS 管电性简述
在简述 MOS 管之前, 需先說明-当与客户询问开发案时, 首先要check 客户 MOS管需求种類为何? 是N 通道 or P信道或者是N+P or N+N 通道 MOS 管?当了解到客户需求种类后, 再进行check 电性需求.
A. Bvdss:
此项目为check 客户需求之主要项目, 客户是需要多少V的MOS管? 30V、40V还是100V？
B. ID:
确认客户需求要多少 V(伏特) 的 MOS管后, 需再确认客户有无多少ID 要多少A (安培)要求。
C. VGS:
是指 Drain (汲极) 到 Gate (闸或栅极) 的电压. 一般而言, 低压MOS管通常在20V. 高压 MOS管通常在±30V. 有些低压MOS管会需求在 ±12V. 这要看客户应用端而定。
D.Vgs(th):
VGS(th) 是指要多少V 的电压才能启动 MOS管, 在上例中有 Min, Typ 和 Max 3种不同的數值. 当制做 MOS管时, VGS(th) 的值会落在 Min ~ Max 定义区域, 即表示符合当初设计规范. 实际 的启动电压值通常会落在 Typ 值的上下附近.
E. Rds(on):
Rds(on) 是指汲极 (Drain) 到源极 (Source) 间的阻值, 此數值是影响 MOS管在应用时温度变化的主因之 一. 阻值越小原则上越好. 但是还要依据客户实际应用來选择适合的 MOS管.
F. Ciss, Coss, Crss, Qg, Qgd….动态值
动态值参数部份, 均因客户实际应用來选择适合的 MOS管. 动态值部份也是会影响MOS管应用时的温度变化的主因之一.
Mos管主流品牌介绍
MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，MOS 管有时被称为绝缘栅场效应管，简称场效应管。
依用途主要可以归纳为：
Ø 功率转换应用（Power Conversion）
Ø 开关切换（Switch）
Ø 整流（Rectify）
Power MOSFET应用领域非常广泛，因为组件特性的关系，它可以承受低压到高电压（12V-800V以上），小到大的电流（1A~200A..）等应用. MOS管有区分增强型与空乏型.
华朔半导体产品是以增强型MOS管为主.在市场客户端也是以增强型MOS管为多且应用广泛.
MOSFET 产品封装外形和一般IC比较，MOSFET封装特色为低脚数，高散 热要求，种类依据客户设计要求而不同，常用封装外形如下：
MOSFET工作原理简介：
MOSFET简称MOS管，其主要功能之一，是做电流的开关.如同水管中控制水流大小的阀门.
在半导体中的电流可分为电子流或电洞流:
利用电子流工作：称为N型的场效电晶体
利用电洞流工作：称为P型的场效电晶体
华朔的MOS管均有N信道与P信道MOS 2种不同类型的产品.
MOS产品简易区分如下：
1、低压MOS管：20V~80V, 有N和P信道以及N+P信道产品. 另有区分有静电防护和无静电防护产品.
2、中压MOS管： 100V~200V,有N和P通道产品.
另有区分有静电防护和无静电防护产品.
3、高压MOS管：400V~800V, N通道产品. 以TO-200AB和TO-220F封装为主.
如何选择使用N信道或是P信道产品，是以客户端之应用设计为主.
MOS 管电性简述
在简述 MOS 管之前, 需先說明-当与客户询问开发案时, 首先要check 客户 MOS管需求种類为何? 是N 通道 or P信道或者是N+P or N+N 通道 MOS 管?当了解到客户需求种类后, 再进行check 电性需求.
A. Bvdss:
此项目为check 客户需求之主要项目, 客户是需要多少V的MOS管? 30V、40V还是100V？
B. ID:
确认客户需求要多少 V(伏特) 的 MOS管后, 需再确认客户有无多少ID 要多少A (安培)要求。
C. VGS:
是指 Drain (汲极) 到 Gate (闸或栅极) 的电压. 一般而言, 低压MOS管通常在20V. 高压 MOS管通常在±30V. 有些低压MOS管会需求在 ±12V. 这要看客户应用端而定。
D.Vgs(th):
VGS(th) 是指要多少V 的电压才能启动 MOS管, 在上例中有 Min, Typ 和 Max 3种不同的數值. 当制做 MOS管时, VGS(th) 的值会落在 Min ~ Max 定义区域, 即表示符合当初设计规范. 实际 的启动电压值通常会落在 Typ 值的上下附近.
E. Rds(on):
Rds(on) 是指汲极 (Drain) 到源极 (Source) 间的阻值, 此數值是影响 MOS管在应用时温度变化的主因之 一. 阻值越小原则上越好. 但是还要依据客户实际应用來选择适合的 MOS管.
F. Ciss, Coss, Crss, Qg, Qgd….动态值
动态值参数部份, 均因客户实际应用來选择适合的 MOS管. 动态值部份也是会影响MOS管应用时的温度变化的主因之一.
Mos管主流品牌介绍
- 欧美系：英飞凌，安森美（ON），AOS，IR, TI，仙童（Fairchild）,Vishay(威士)，Diodes，ST(意法半导体)，NXP
- 日系：东芝（TOSHIBA）, 罗姆（ROHM）, 瑞萨（RENESAS）
- 韩系：美格纳（Magnachip）, AUK, KEC
- 台系：富鼎，大中，尼克松，UBIQ，台半，强茂，富满，东沅，华 瑞（CES）
- 国产：长电，韦尔，lRC, 新洁能，贝岭，华晶，士兰微，华微，威兆
- 汽车电子：NXP, ST, 英飞凌,VISHAY, IR, 仙童, 安森美…
- 工控类：瑞萨,英飞凌,VISHAY,仙童,VISHAY,ROHM,TOSHIBA…
- 大电源（300w～2000w+）：英飞凌,ST,VISHAY,安森美,仙童,IR…
- 消费类电源(100w以内，手机充电器, 适配器，LED照明电源)：AOS,DIOSES, 华晶,士兰微,华微,新洁能,威兆…
- 消费类数码产品：AOS,DIODES,富鼎,长电,lRC,韦尔,贝岭…
- 电动工具：TI, IR, 英飞凌, AOS,安森美, 富鼎…
- TV: AOS, 松木, 美格纳, 长电…
- 锂电池保护板：AOS, DIODES, ROHM, TOSHIBA, 富鼎, UBIQ,富满…
- PC主板：AOS, 安森美, 富鼎, UBIQ…
